| 主权项 |
1.一种降低化学机械研磨法引起导电层损害的方法,其步骤包括:形成一介电层覆盖一位在半导体基底上的第一导电层;形成一低介电値有机层于该介电层上;利用微影程序以及蚀刻技术依序定义该低介电値有机材料层以及该介电层,形成一预定形成导电插栓之接触窗;形成一阻障层于该接触窗内的内壁以及底部;形成一第二导电层于该低介电値有机材料层上,并且将该接触窗填满;以该低介电値有机材料层为蚀刻终点,回蚀刻去除多余的该第二导电层,并于该接触窗内形成一导电插栓;以及去除该低介电値有机材料层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导电层系由导电性较佳的金属或耐热金属矽化物所构成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该导电性较佳的金属可选自铜、铝、铝铜合金、或铝矽铜合金。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该耐热金属矽化物可选自矽化钛或矽化钨。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系一具标准电阻値之氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系由一低介电値氧化物所构成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系由伸芳基醚聚合物所构成。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系FLARE 2.0所构成。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系PAE-2所构成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层系由氮化钛或矽化钛所构成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二导电层可选自铝、铜、或钨。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二导电层系由化学气相沉积法所形成。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二导电层系由物理气相沉积法所形成。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中回蚀刻过程所用之方法系化学机械研磨法。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系以电浆灰化法去除的。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该灰化法所用的是氧气电浆。17.一种降低化学机械研磨法引起导电层损害的方法,其步骤包括:形成一介电层覆盖一位在半导体基底上的第一导电层;形成一低介电値有机层于该介电层上;形成一光阻图案于该低介电値有机层上,并在导电插栓之预定处形成一露出低介电値有机层表面之开口;以该光阻图案为蚀刻罩幕,依序蚀刻该开口下的低介电値有机层以及该介电层,形成一接触窗;去除该光阻图案后,形成一阻障层于该接触窗内的内壁以及底部;形成一第二导电层于该低介电値有机材料层上,并且将该接触窗填满;以该低介电値有机材料层为蚀刻终点,回蚀刻去除多余的该第二导电层,并于该接触窗内形成一导电插栓;以及去除该低介电値导电材料层。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一导电层系由导电性较佳的金属或耐热金属矽化所构成。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该导电性较佳的金属可选自铜、铝、铝铜合金、或铝矽铜合金。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该耐热金属矽化物可选自矽化钛或矽化钨。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该介电层系一具标准介电値之氧化层。22.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该介电层系由一低介电値氧化物所构成。23.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系由伸芳基醚聚合物所构成。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系FLARE 2.0所构成。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系PAE-2所构成。26.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该阻障层系由氮化钛或矽化钛所构成。27.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第二导电层可选自铝、铜、或钨。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该第二导电层系由化学气相沉积法所形成。29.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该第二导电层系由物理气相沉积法所形成。30.如申请专利范围第17项所述之方法,其中回蚀刻过程所用之方法系化学机械研磨法。31.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该低介电値有机材料层系以电浆灰化法去除的。32.如申请专利范围第31项所述之方法,其中该灰化法所用的电浆是氧气电浆。图式简单说明:第一图A-第一图D是习知一种导电插栓之剖面制程。第二图A-第二图E是根据本发明之一实施例的导电插栓剖面制程。 |
