| 主权项 |
1.一种下电极的制造方法,适用于一基底,在该基底中至少包括一半导体元件,且该基底上已形成一介电层覆盖该半导体元件,其中在该介电层中有一第一开口暴露出部份该半导体元件,该方法至少包括:在该基底上形成一导体层,使其覆盖该介电层表面,并且填入该第一开口,与部份该半导体元件电性耦接;于该导体层上形成图案化之一罩幕层,该罩幕层中有一第二开口暴露出该导体层;以该罩幕层为罩幕,对该导体层进行一等向性蚀刻步骤,使该导体层在该第二开口处形成一非直角凹陷区,其中该非直角凹陷区大于该第二开口;去除该罩幕层;定义该导体层,以形成具有该非直角凹陷区之一下电极;以及在该下电极表面形成一半球形矽晶粒层。2.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中在进行该等向蚀刻步骤后,去除该罩幕层前,更包括以该罩幕层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,去除部份该导体层,以在该非直角凹陷区中形成一沟渠。3.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中在去除该该罩幕层后,定义该导体层前,更包括在该导体层上形成图案化之一第二罩幕层,其中该第二罩幕层中具有一第三开口,暴露出该导体层,其中该第三开口所暴露该导体层之范围,包括该非直角凹陷区,且大于该非直角凹陷区;以及以该罩幕层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,去除部份该导体层。4.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中该等向性蚀刻步骤,包括利用硝酸和氟化氢为蚀刻剂之湿蚀刻法。5.如申请专利范围第4项所述之一种下电极的制造方法,其中硝酸和氟化氢的混合比为50:1。6.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中该导体层包括多晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中该半导体元件包括场效电晶体。8.如申请专利范围第1项所述之一种下电极的制造方法,其中该半导体元件包括内连线。9.一种下电极的制造方法,适用于一基底,在该基底上已形成包括一源极/汲极区的一场效电晶体,且该基底上已形成一介电层覆盖该场效电晶体,其中在该介电层中有一第一开口暴露出该源极/汲极区,该方法至少包括:在该基底上形成一导体层,使其覆盖该介电层表面,并且填入该第一开口,与该源极/汲极区电性耦接;于该导体层上形成至少具有一第二开口之一罩幕层,该第二开口暴露出该导体层;以该罩幕层为罩幕,对该导体层进行一等向性蚀刻步骤,使该导体层在该第二开口处形成一非直角凹陷区,其中该非直角凹陷区大于该第二开口;去除该罩幕层;定义该导体层,以形成具有该非直角凹陷区之一下电极;以离子植入法对该下电极表面进行非晶化;以及进行一晶粒成长步骤,在该下电极表面形成一半球形矽晶粒层。10.如申请专利范围第9项所述之一种下电极的制造方法,其中在进行该等向蚀刻步骤后,去除该罩幕层前,更包括以该罩幕层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,去除部份该导体层,以在该非直角凹陷区中形成一沟渠。11.如申请专利范围第9项所述之一种下电极的制造方法,其中在去除该该罩幕层后,定义该导体层前,更包括在该导体层上形成图案化之一第二罩幕层,其中该第二罩幕层中具有一第三开口,暴露出该导体层,其中该第三开口所暴露该导体层之范围,包括该非直角凹陷区,且大于该非直角凹陷区;以及以该第二罩幕层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,去除部份该导体层。12.如申请专利范围第9项所述之一种下电极的制造方法,其中该等向性蚀刻步骤,包括利用硝酸和氟化氢为蚀刻剂之湿蚀刻法。13.如申请专利范围第12项所述之一种下电极的制造方法,其中硝酸和氟化氢的混合比为50:1。14.如申请专利范围第9项所述之一种下电极的制造方法,其中该导体层包括多晶矽层。15.如申请专利范围第9项所述之一种下电极的制造方法,其中该晶粒成长步骤包括在真空的环境下,进行热处理。图式简单说明:第一图A至第一图D是习知的具有HSG-Si结构的电容器下电极的制程剖面图;第二图A至第二图F是根据本发明较佳实施例,一种具有HSG-Si结构的电容器下电极的制程剖面图;以及第三图A至第三图C是根据本发明较佳实施例,一种具有HSG-Si结构的电容器下电极的制程剖面图。 |
