| 主权项 |
1.一种用于测量充满于雷射吸收光谱分析室(12)内之气体样本中之不纯物量之方法,其系由计算在给定之压力下之气体样本之吸收特征代表値,且在该特征之变动为不纯物量之函数之预定法则之基础上定量该不纯物所构成,其特色为该特征系由在定压下随不纯物量而线性变化之函数之量所组成,不纯物系在不纯物量与特征间之比例常数値之基础下定量,其系由在一给定之不纯物量下该特征之变动为压力之函数之表列基础上决定。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特色为该特征系由、一方面、照射过气体之光束之发光强度(Iana)与入射光束之发光强度(Iref)间之差异与、另一方面、入射光束之发光强度(Iref)间之比値所构成。3.根据申请专利范围第2项之方法,其特色为该光束系藉二极真空管雷射(26)根据包含该不纯物所吸收之光线最大处之波长之波长范围所放射。4.根据申请专利范围第3项之方法,其特色为该入射发光强度系藉将二极真空管雷射(26)所放射之光束分成用于通过气体样本之分析光束以及一参考光束,且藉测量参考光束之强度(Iref)以测量。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其特色为该特征之变化表系针对各种欲分析之气体以计算,其系对含有预决定量之不纯物之气体,藉测量在各种压力下之该特征値。6.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其特色为该不纯物含有水或水蒸汽。7.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其特色为该欲分析之气体系选自使用于微电子组件之制造领域中之气体,例如为NH3.HCl、HBr、HF、NO、SiH4.GeH4与全氟碳酸化气体。8.一种用于测量在气体样本中之不纯物量之装置,其系用于实施根据申请专利范围第1至7项中任一项之方法,其特色为其含有一用于放射出根据包含该不纯物所吸收之光线最大处之波长之波长范围之光束之二极真空管雷射(26)、含有用以将放射之光束分成分析光束以及参考光束之分光设备(28),其中该分析光束用于传送穿过装有欲分析之气体样本之雷射吸收光谱分析室(12)、含有用于接收分析与参考光束之光侦测装置(36.40)、以及含有一计算装置(50),其系用于基于由光侦测装置所侦测到之测量与参考光束之强度间之比较基础上而计算随不纯物量而线性变化之特征値以及气体样本之吸收代表値,且其中该计算装置(50)包括储存于记忆体中之一组至少一个该特征在给定之不纯物量下为压力函数之变化表,其目的系为了在该表之基础上计算欲采用于该特征之计算値以得到不纯物量之比例常数。9.根据申请专利范围第8项之装置,特色为其包括储存于记忆体中之每一个对应至欲分析之气体种类之一组表列。图式简单说明:-图1系根据本发明之测量装置之示意图;-图2系置入图1之装置结构中之湿度计之示意图;且-图3系显示为压力函数之特征之变化曲线,其系计算以定量存在于气体样本中之水分子。 |
