| 主权项 |
1.一种薄膜形成设备,包含:一头部,具有一超音波震荡器;及一喷嘴,装有供形成EL层之施加液体。2.一种薄膜形成设备,包含:一头部,具有一超音波震荡器;及一喷嘴,装有供形成EL层之施加液体,其中喷嘴有一加热器。3.如申请专利范围第2项之薄膜形成设备,其中喷嘴有一大内径部及一小内径部,该加热器在小内径部中。4.如申请专利范围第2项之薄膜形成设备,其中喷嘴之小内径部有一接触元件。5.如申请专利范围第1或2项之薄膜形成设备,其中喷嘴中之施加液体由超音波震荡加压,再由喷嘴喷出。6.一种制造自发光装置之方法,包含步骤为:形成至少一第一电极于一基片上;对喷嘴装入供形成EL层之施加液体;根据提供超音波震荡器或热量提供施加液体至图素行以形成该EL层于该第一电极上;形成至少一第二电极于该EL层上,其中每一该第一电极及第二电极为阳极或阴极。7.如申请专利范围第6项之制造自发光装置之方法,其中:喷嘴有一大内径部及一小内径部;小内径有一加热器;及加热器提供热至充满喷嘴之施加液体。8.一种制造自发光装置之方法,包含步骤为:形成至少一第一电极于一基片上;使用超音波震荡器提供超音波震荡至一头部之一喷嘴;使用超音波震荡器提供超音波震荡至充满喷嘴之施加液体以提供施加液体至一图素行而形成一EL层该该第一电极上;及形成至少一第二电极于该EL层上,其中每一该第一电极及第二电极为阳极或阴极。9.如申请专利范围第8项之制造自发光装置之方法,其中喷嘴之加热器提供热至充满喷嘴之施加液体。10.如申请专利范围第6或8项之制造自发光装置之方法,其中根据加压由喷嘴喷出施加液体,然后施加。11.如申请专利范围第6或8项之制造自发光装置之方法,其中根据毛细管力、施加液体重量或压力由喷嘴喷出施加液体,然后施加。12.如申请专利范围第6或8项之制造自发光装置之方法,其中根据接触一列之接触元件提供充满喷嘴之施加液体。13.一种薄膜形成设备,包含:一喷嘴,装有供形成EL层之施加液体;一头部,具有一超音波震荡器以形成施加液体之粒子;一第一电极,供施加电压至粒子以形成电荷粒子;至少一电极,供施加电压至电荷粒子。14.一种薄膜形成设备,包含:一喷嘴,装有供形成EL层之施加液体;一加热器及一超音波震荡器,以形成施加液体之粒子;一第一电极,供施加电压至粒子以形成电荷粒子;至少一电极,供施加电压至电荷粒子。15.一种制造自发光装置之方法,包含步骤为:藉由提供超音波震荡或热至施加液体以形成施加液体之粒子于一喷嘴中;施加电压至粒子以形成电荷粒子;施加电压至电荷粒子以加速电荷粒子;施加电压至加速的电荷粒子以控制加速的电荷粒子流。16.如申请专利范围第13项之薄膜形成设备,其中施加液体包括至少一高导电溶剂。17.如申请专利范围第14项之薄膜形成设备,其中施加液体包括至少一高导电溶剂。18.如申请专利范围第15项之制造自发光装置之方法,其中施加液体包括至少一高导电溶剂。19.如申请专利范围第16项之薄膜形成设备,其中高导电溶剂为甲苯或N甲基2咯烷酮。20.如申请专利范围第17项之薄膜形成设备,其中高导电溶剂为甲苯或N甲基2咯烷酮。21.如申请专利范围第18项之薄膜形成设备,其中高导电溶剂为甲苯或N甲基2咯烷酮。22.一种薄膜形成设备,包含:至少三个个别装有供形成EL层之红色施加液体、绿色施加液体及蓝色施加液体的喷嘴;及一头部,具有一超音波震荡器;其中每一该三个喷嘴各具有一加热器。图式简单说明:图1A至1C为本发明有机EL材料施加程序;图2显示一图素部截面;图3A及3B分别为一图素部顶面结构及结构;图4A至4E显示自发光装置制程;图5A至5D显示自发光装置制程;图6A至6C显示自发光装置制程;图7显示一取样电路之元件结构;图8为自发光装置外观;图9为自发光装置电路方块图;图10A及10B显示主动矩阵式自发光装置截面;图11A至11C为自发光装置之图素部截面;图12为图素部之顶面结构;图13A至13C显示本发明有机EL材料施加程序;图14A至14C显示本发明有机EL材料施加程序;图15A至15B显示本发明有机EL材料施加程序;图16A及16B为图素部放大图;图17为被动式自发光装置之截面;图18A至18F显示特定电子设备;图19A至19B显示特定电子设备;及图20A及20B显示一薄膜成形设备。 |
