位元线上电容器及其下电极的制造方法

摘要

一种位元线上电容器的制造方法，包括先提供一个基底，再于基底上形成数条字元线。然后，形成分别位于字元线之间的数个接地插塞接触窗，再分别在接地插塞接触窗上形成数个第一接触窗。之后，同时于部分第一接触窗上形成数个第二接触窗以及形成分别连接部分第一接触窗的数条位元线，然后再于基底表面形成一层内层介电层，以覆盖位元线与第二接触窗。随后，在内层介电层中形成数个电容器。上述方法能够达成简化制程的功效。

主权项

一种电容器下电极的制造方法，包括：提供一基底，至少具有一主动区与环绕该主动区的一隔离区；于该基底上形成数条字元线横越该主动区；于该些字元线之间形成数个接地插塞接触窗(landing plug contact，LPC)；同时在该主动区上的该接地插塞接触窗上形成至少一电容端下接触窗(lower contact)以及在该隔离区上的该接地插塞接触窗上形成至少一位元线接触窗；同时在每个电容端底接触窗上形成一电容端上接触窗(upper contact)以及在该位元线接触窗上形成一位元线；于该基底表面形成一内层介电层，以覆盖该位元线与该电容端上接触窗；在该内层介电层中形成一电容器开口，其中该电容器开口露出该电容端上接触窗；以及在该电容器开口的表面形成一导电层。