发明名称 |
氮化物半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种氮化物半导体装置,该氮化物半导体装置(100)具备:n-GaN基板(1);形成于n-GaN基板(1)的主面上,包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造;与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32);设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b),n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。 |
申请公布号 |
CN1957510A |
申请公布日期 |
2007.05.02 |
申请号 |
CN200680000267.4 |
申请日期 |
2006.05.12 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
长谷川义晃;石桥明彦;横川俊哉 |
分类号 |
H01S5/323(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/323(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种氮化物半导体装置,是具备:含有n型杂质的氮化物类半导体基板;形成于所述半导体基板的主面上,包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造;与所述半导体叠层构造中所含的所述p型区域的一部分接触的p侧电极;设于所述半导体基板的背面的n侧电极的氮化物半导体装置,其中,所述半导体基板的背面包括平坦区域和粗糙区域,所述n侧电极将所述粗糙区域的至少一部分覆盖。 |
地址 |
日本大阪府 |