沟渠隔离型半导体元件以及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法。此元件包括：一沟渠，具有转角部，形成在半导体基板；一第一氧化物膜，形成在沟渠之内壁上，并具有暴露半导体基板之转角部的上端部；一氮化物衬里，形成在第一氧化物膜上；一第二氧化物膜，形成为接触第一氧化物膜之上端部，且在半导体基板之暴露的转角部与上表面上；一场绝缘膜，形成在氮化物衬里上，以实质上填充沟渠；以及一场保护膜，形成为接触第二氧化物膜，并填充形成于场绝缘膜与第二氧化物膜之间的沟渠边缘凹处。