Verfahren zum thermischen Ausheilen und elektrischen Aktivieren implantierter Siliziumcarbidhalbleiter

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum thermischen Ausheilen von Gitterdefekten und elektrischen Aktivieren von Dotierstoffionen eines durch Implantation von Dotierstoffionen dotierten Siliziumcarbidhalbleiters (11), bei dem durch eine erste Wärmebehandlung eine Graphitdeckschicht auf wenigstens einer Oberfläche des Siliziumcarbidhalbleiters erzeugt wird und der mit einer Graphitdeckschicht versehene Siliziumcarbidhalbleiter einer zweiten Wärmebehandlung unterzogen wird, wobei die erste und zweite Wärmebehandlung in einem selben Ofen (1) durchgeführt werden und wobei die Umgebung (9) des Siliziumcarbidhalbleiters (11) während der ersten Wärmebehandlung evakuiert wird.