| 发明名称 | 隔离环基层、隔离环基层掩膜版及隔离环基层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种隔离环基层，所述隔离环基层位于半导体基底上，所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物，所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。一种隔离环基层掩膜版，所述隔离环基层掩膜版包含至少一个隔离槽图形区，每一所述隔离槽图形区内包含至少两个隔离槽图形，各所述隔离槽图形间隔分布于所述隔离槽图形区内。一种隔离环基层形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积介质层；利用隔离环基层掩膜版，刻蚀所述介质层，以在所述半导体基底上形成包含至少两个隔离槽的隔离环区；形成填充所述隔离槽的隔离物层。可减少隔离环内隔离槽间的连通。 | ||
| 申请公布号 | CN100561715C | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200710044352.7 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种隔离环基层，所述隔离环基层位于半导体基底上，所述隔离环基层包含隔离槽及填充所述隔离槽的隔离物，其特征在于：所述隔离环基层内包含至少两个隔离槽，所述隔离槽间隔分布于所述隔离环基层内。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||