发明名称 图像传感器及其制造方法
摘要 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。在本发明中,图像传感器包括:半导体衬底,具有光检测器;以及微透镜阵列,包括多个透镜,用于将从外界入射的光导向该光检测器,其中,该微透镜阵列包括干膜抗蚀剂材料。该干膜抗蚀剂材料包括玻璃转变温度大约为100℃或更低且分子量大约为10000或更小的聚合物。
申请公布号 CN100561744C 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200610164735.3 申请日期 2006.12.06
申请人 东部电子股份有限公司 发明人 姜在贤
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑小军
主权项 1.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:形成光电二极管;在该光电二极管上形成保护层;在该保护层上形成滤色镜;在该滤色镜上方形成上涂材料层;在该上涂材料层上粘附固态光致抗蚀剂膜;在从该光电二极管的中心部分到边缘部分逐渐增加光量的同时,对该固态光致抗蚀剂膜进行曝光处理;以及对该光致抗蚀剂膜进行显影,以在该滤色镜上形成基本为球形的微透镜。
地址 韩国首尔