发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。在本发明中,图像传感器包括:半导体衬底,具有光检测器;以及微透镜阵列,包括多个透镜,用于将从外界入射的光导向该光检测器,其中,该微透镜阵列包括干膜抗蚀剂材料。该干膜抗蚀剂材料包括玻璃转变温度大约为100℃或更低且分子量大约为10000或更小的聚合物。 |
申请公布号 |
CN100561744C |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
申请号 |
CN200610164735.3 |
申请日期 |
2006.12.06 |
申请人 |
东部电子股份有限公司 |
发明人 |
姜在贤 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:形成光电二极管;在该光电二极管上形成保护层;在该保护层上形成滤色镜;在该滤色镜上方形成上涂材料层;在该上涂材料层上粘附固态光致抗蚀剂膜;在从该光电二极管的中心部分到边缘部分逐渐增加光量的同时,对该固态光致抗蚀剂膜进行曝光处理;以及对该光致抗蚀剂膜进行显影,以在该滤色镜上形成基本为球形的微透镜。 |
地址 |
韩国首尔 |