| 发明名称 | 栅极侧壁层的形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种栅极侧壁层的形成方法，包括步骤：提供表面具有至少一个栅极的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；刻蚀所述第一和第二介质层；对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层。本发明的栅极侧壁层的形成方法，在不增加工艺步骤的前提下，减小了工艺制作中的热预算，改善了侧壁层在湿法腐蚀工艺中易出现凹陷，造成器件性能衰退的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100561672C | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200610116909.9 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰;朴松源;白杰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有至少一个栅极的衬底；利用双叔丁基氨基硅烷为第一反应源在所述衬底上形成第一介质层；利用双叔丁基氨基硅烷为第一反应源在所述第一介质层上形成第二介质层；刻蚀所述第一和第二介质层；对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||