基于霍尔效应的超高密度磁随机存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及基于霍尔效应的超高密度磁随机存储器及制造方法，磁随机存储器为九层或八层结构形式，主要包括四层功能层：霍尔器件层、图形化磁性介质层、环形位导线层和字导线层，上述四个器件的中心精确对准。八层结构在九层结构的基础上，去掉图形化磁性介质层。该磁随机存储器的存储单元尺度为纳米级，可大幅度提高存储密度。对于九层结构的磁随机存储器制作方法采用霍尔器件、图形化磁性介质、环形位导线层和字导线层纳米结构图形的三个透明模版，利用紫外固化纳米压印技术，分四次在负性光刻胶上依次复制出四种器件的图形；在每次淀积器件材料后，用剥离法溶解光刻胶，即得到器件；对于八层结构，只要去掉图形化磁性介质的相应制作步骤即可。

主权项

1.一种基于霍尔效应的超高密度磁随机存储器，包括一基底，其特征在于，在基底上方依次设有第一电绝缘层(2)、霍尔器件层(3)、第二电绝缘层(4)、位导线层(5)、第三电绝缘层(6)、字导线层(7)、第四电绝缘层(8)；所述的霍尔器件层(3)上的霍尔器件为有磁滞效应的记忆型器件。