| 发明名称 | GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 | ||
| 摘要 | 提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101583745A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200780042434.6 | 申请日期 | 2007.11.14 |
| 申请人 | 国立大学法人大阪大学;财团法人大阪产业振兴机构 | 发明人 | 森勇介;佐佐木孝友;川村史朗;吉村政志;川原实;北冈康夫;森下昌纪 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B19/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种GaN晶体制造方法，所述方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，其包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||