| 发明名称 | 不具有端部铝金属层的金属化层堆栈 | ||
| 摘要 | 本发明通过直接形成凸块底部金属化层(underbumpmetallization layer)(211)在最后(last)金属化层的接触区(202A)上，可避免形成任何其它的端部金属(terminal metal)，例如铝，及对应的黏着/阻障层(adhesion/barrier layer)。因此，可改善所得之凸块结构(212)的热及电性行为，同时可显著地降低工艺复杂性。 | ||
| 申请公布号 | CN101584043A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200780040784.9 | 申请日期 | 2007.10.26 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·莱尔;F·屈兴迈斯特;L·莱曼;M·威兰;A·普拉茨;A·沃尔特;G·容尼克尔 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：金属化层(207)，包括由第一钝化层(203)所横向加边的接触区(202)并且具有接触表面(202A)；最终钝化层(209)，形成于该第一钝化层(203)之上并且至少暴露该接触区(202A)的一部分；凸块底部金属化层(211)，形成于该接触表面(202A)与该最终钝化层(209)的一部分上；含镍中间层(216)，形成于该凸块底部金属化层(211)上；以及凸块(212)，形成于该含镍中间层(216)上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||