| 发明名称 | Ⅲ族氮化物化合物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法和灯 | ||
| 摘要 | 本发明的III族氮化物化合物半导体元件，具有：基板；设置于所述基板上的中间层；和基底层，所述基底层设置于所述中间层上，(0002)面的摇摆曲线半值宽度为100弧度秒以下，且(10-10)面的摇摆曲线半值宽度为300弧度秒以下。另外，本发明的III族氮化物化合物半导体元件的制造方法具有采用溅射法形成所述中间层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101578715A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200880002247.X | 申请日期 | 2008.01.15 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 加治亘章;横山泰典;酒井浩光 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田 欣 |
| 主权项 | 1、一种III族氮化物化合物半导体元件，具有：基板；设置于所述基板上的中间层；和基底层，所述基底层设置于所述中间层上，(0002)面的摇摆曲线半值宽度为100弧度秒以下，且(10-10)面的摇摆曲线半值宽度为300弧度秒以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||