| 发明名称 | 半导体器件的线的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的线的方法，其中可以通过降低线的电阻来改善器件的电特性。根据该方法，在其中形成给定结构的半导体衬底上形成无定形硅化物层或无定形TiSiN层。在无定形硅化物层或无定形TiSiN层上形成线导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN100559566C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200610145278.3 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金兑京;赵直镐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的线的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成无定形TiSiN层；和在无定形TiSiN层上形成线导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||