| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，其通过防止光电二极管区损伤而能够改善图像传感器特性。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其上形成器件隔离区和有源区；光电二极管区，形成于该有源区处；导电塞，形成于该光电二极管区处，用于将该光电二极管区连接到金属布线；以及晶体管，形成为围绕该导电塞。 | ||
| 申请公布号 | CN100559601C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200610170111.2 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，其上形成器件隔离区和有源区；光电二极管区，形成于该有源区处；导电塞，形成于该光电二极管区处，用于将该光电二极管区连接到金属布线；以及第一复位晶体管和第二复位晶体管，形成为围绕该导电塞，其中该第一复位晶体管和该第二复位晶体管通过各自的栅极相连。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||