| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一半导体基板，具有一p通道金氧半导体元件区域(PMOS)与一n通道金氧半导体元件区域(NMOS)；一第一闸极结构，位于该PMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方之第一闸极介电层、与一位于该第一闸极介电层上方之第一闸极导电体；一第二闸极元件区域，位于该NMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方之第二闸极介电层、及一位于该第一闸极介电层上方之第二闸极导电体，其中，该第一闸极导电体包括一以矽为基材之材料层，且该第二闸极导电体包括一以金属为基材之材料层；以及一位于该第二闸极导电体之该以金属为基材之材料层上方之保护层，其中该保护层选自由多晶矽、以矽为基材之材料、及以金属为基材之材料所组成之群组。 |
