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发明名称 METHOD OF FORMING THIN SGOI WAFERS WITH HIGH RELAXATION AND LOW STACKING FAULT DEFECT DENSITY
摘要
申请公布号 KR100925310(B1) 申请公布日期 2009.11.04
申请号 KR20067013849 申请日期 2004.01.16
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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