发明名称 |
像素结构的制作方法 |
摘要 |
一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,于基板上形成栅极,并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着,于栅介电层上形成通道层,并于通道层上形成第二金属层。接着,于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层,并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层,以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极,其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后,于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层,以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出漏极。接着,于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。 |
申请公布号 |
CN100557787C |
申请公布日期 |
2009.11.04 |
申请号 |
CN200810137834.1 |
申请日期 |
2008.07.08 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈 晨 |
主权项 |
1.一种像素结构的制作方法,包括:提供基板;形成栅极于该基板上;形成栅介电层于该基板上,以覆盖该栅极;形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上;形成第二金属层于该通道层上;形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上,并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层,以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极,其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管;形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上;移除该图案化光致抗蚀剂层,以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出该源极与该漏极;以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |