| 发明名称 | 半导体器件及栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括步骤：刻蚀前一衬底；检测所述前一衬底的刻蚀结果分布情况；根据所述前一衬底的刻蚀结果分布情况对后一衬底在光刻刻蚀掩膜图形时的曝光参数进行调整；按照所述后一衬底的曝光参数对所述后一衬底进行光刻，形成刻蚀掩膜图形；刻蚀所述后一衬底。本发明还公开了相关的栅极形成方法。采用本发明的半导体器件及栅极的形成方法，改善了因不同的刻蚀设备的刻蚀结果存在某种特定的分布特点而导致的刻蚀结果不一致的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101572218A | 申请公布日期 | 2009.11.04 |
| 申请号 | CN200810105309.1 | 申请日期 | 2008.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 黄怡;杜珊珊;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董立闽;李 丽 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：刻蚀前一衬底；检测所述前一衬底的刻蚀结果分布情况；根据所述前一衬底的刻蚀结果分布情况对后一衬底在光刻刻蚀掩膜图形时的曝光参数进行调整；按照所述后一衬底的曝光参数对所述后一衬底进行光刻，形成刻蚀掩膜图形；刻蚀所述后一衬底。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||