线路组件制作方法

摘要

本发明公开了一种线路组件制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底、第一线圈以及保护层，其中该第一线圈位于该半导体基底之上，该保护层位于该第一线圈之上，且该保护层包括厚度介于0.2微米至1.2微米之间的含硅氮化物；以旋涂工艺形成第一聚合物层在该保护层上，且该第一聚合物层接触该保护层；在形成该第一聚合物层的步骤之后，利用1倍的曝光步进机曝光该第一聚合物层；在曝光该第一聚合物层的步骤之后，硬化该第一聚合物层；以及在硬化该第一聚合物层的步骤之后，形成第二线圈在该第一聚合物层之上、在该保护层上方以及在该第一线圈上方。

主权项

1、一种线路组件制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底、第一线圈以及保护层，其中该第一线圈位于该半导体基底之上，该保护层位于该第一线圈之上，且该保护层包括厚度介于0.2微米至1.2微米之间的含硅氮化物；以旋涂工艺形成第一聚合物层在该保护层上，且该第一聚合物层接触该保护层；在形成该第一聚合物层的步骤之后，利用1倍的曝光步进机曝光该第一聚合物层；在曝光该第一聚合物层的步骤之后，硬化该第一聚合物层；以及在硬化该第一聚合物层的步骤之后，形成第二线圈在该第一聚合物层之上、在该保护层上方以及在该第一线圈上方，且形成该第二线圈的步骤依序包括：(a)以溅镀工艺形成含钛金属层在该第一聚合物层之上；(b)以溅镀工艺形成第一金层在该含钛金属层上，且该第一金层接触该含钛金属层；(c)形成光阻层在该第一金层上，且位于该光阻层内的开口暴露出该第一金层；(d)使用含有亚硫酸根、钠离子及金离子的电镀液电镀形成第二金层在该开口所暴露出的该第一金层之上；(e)去除该光阻层；(f)去除未在该第二金层之下的该第一金层；以及(g)去除未在该第二金层之下的该含钛金属层。