发明名称 薄膜蚀刻方法以及使用该方法制造液晶显示器件的方法
摘要 本发明公开了一种制造液晶显示器件的方法,包括:在第一基板上形成第一导电层;采用飞秒激光去除部分第一导电层以形成栅极;在包括所述栅极的第一基板上形成栅绝缘层;在包括所述栅绝缘层的第一基板上形成半导体层;采用飞秒激光去除部分所述半导体层以形成有源层;在包括所述有源层的第一基板上形成第二导电层;等等,以及在第二基板上形成不透明层;采用飞秒激光去除部分所述不透明层以形成黑矩阵;在包括所述黑矩阵的第二基板上形成红/绿/蓝感光膜;去除部分所述红/绿/蓝感光膜以形成滤色片;在包括所述滤色片的第二基板上形成第四导电层;以及采用飞秒激光去除部分所述第四导电层以形成公共电极。
申请公布号 CN100557513C 申请公布日期 2009.11.04
申请号 CN200510080123.1 申请日期 2005.06.29
申请人 乐金显示有限公司 发明人 朴正权
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;梁 挥
主权项 1、一种制造液晶显示器件的方法,包括:在第一基板上形成第一导电层;通过第一掩模照射飞秒激光,去除部分第一导电层以形成栅极;在包括所述栅极的第一基板上形成氮化硅或氧化硅的栅绝缘层;在包括所述栅绝缘层的第一基板上顺序形成非晶硅层和掺杂非晶硅层;通过第二掩模照射飞秒激光,去除部分所述非晶硅层和掺杂非晶硅层以形成有源半导体层;在包括所述有源半导体层的第一基板上形成第二导电层;通过第三掩模照射飞秒激光,去除部分所述第二导电层以形成源极和漏极;在包括所述源极和漏极的第一基板上形成氮化硅或氧化硅的保护层;通过第四掩模照射飞秒激光,去除部分所述保护层以形成暴露部分所述漏极的接触孔;在包括所述接触孔的第一基板上形成氧化铟锡或氧化铟锌的透明导电层;通过第五掩模照射飞秒激光,去除部分所述透明导电层以形成通过接触孔电连接到所述漏极的像素电极;在第二基板上形成不透明层;通过第六掩模照射飞秒激光,去除部分所述不透明层以形成黑矩阵;在包括所述黑矩阵的第二基板上形成红/绿/蓝感光膜;通过第七至第九掩模照射飞秒激光,去除部分所述红/绿/蓝感光膜以形成滤色片;在包括所述滤色片的第二基板上形成透明金属层;以及通过第十掩模照射飞秒激光,去除部分所述透明金属层以形成公共电极。
地址 韩国首尔