半导体器件

摘要

本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜(120)上形成直达层间绝缘膜(109)的开口部(123)。开口部(123)以包围密封环(110)的外侧的方式配置。也就是说，因为第2布线层(114)上表面完全被钝化膜(120)覆盖，所以第2布线层(114)的上表面未暴露于大气中。因而，能够防止因第2布线层的氧化、腐蚀而使密封环(110)对半导体器件的保护效果变差。并且，由于开口部(123)的存在，对切割区进行切割时的应力难以传递到电路形成区上的钝化膜(120)上，从而能够防止裂纹进入电路形成区。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；多个层间绝缘膜，层叠于上述半导体衬底上；密封环，形成为包围电路形成区，并形成为贯通上述多个层间绝缘膜，由包含铜金属层的多个金属层构成；以及氮化膜，形成为覆盖上述电路形成区和上述密封环，上述氮化膜在用上述密封环包围的区域的外侧具有贯通上述氮化膜的第一开口部，在上述密封环的最上面的铜金属层和上述氮化膜之间设置有铝金属层，上述铝金属层的宽度比上述密封环的上述最上面的铜金属层的宽度大，内部形成有上述铜金属层的上述多个层间绝缘膜分别通过刻蚀阻止层和形成在该刻蚀阻止层上的第一层间绝缘膜来构成。