| 发明名称 | GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101568671A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200880001356.X | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中畑成二;元木健作 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种GaN外延晶片制造方法，包括：第一GaN层形成步骤，其中，在衬底之上外延生长第一GaN层；凹部形成步骤，其中，在所述第一GaN层形成步骤之后，在所述衬底的正面中形成凹部；以及第二GaN层形成步骤，其中，在所述凹部形成步骤之后，在所述第一GaN层之上外延生长第二GaN层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||