垂直氮化镓半导体器件和外延衬底

摘要

提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n-型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n-型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×10¹⁸cm^-3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。

主权项

1.一种垂直的氮化镓半导体器件，布置有：n-型导电性的氮化镓支撑基体；在所述氮化镓支撑基体的上表面上设置的n-型导电性的氮化镓外延膜；在所述氮化镓外延膜上设置的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上设置的栅电极；在所述氮化镓外延膜中设置的p-型导电区；在所述p-型导电区中设置的n-型导电区；在所述氮化镓外延膜的所述n-型导电区上设置的源电极；以及在所述氮化镓支撑基体的下表面上设置的漏电极；其特征在于：在所述氮化镓支撑基体和所述氮化镓外延膜之间设置氮化镓的层区，其中施主杂质的浓度是1×1018cm-3或以上，以及所述施主杂质是硅和锗中的至少一个。