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发明名称 CLEAVED FACET (GA,AL,IN)N EDGE-EMITTING LASER DIODES GROWN ON SEMIPOLAR {11-2N} BULK GALLIUM NITRIDE SUBSTRATES
摘要
申请公布号 EP2111632(A1) 申请公布日期 2009.10.28
申请号 EP20080725469 申请日期 2008.02.12
申请人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 发明人 NAKAMURA, SHUJI;SPECK, JAMES, S.;DENBAARS, STEVEN, P.;TYAGI, ANURAG
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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