| 发明名称 | 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门分别与气相沉积反应室的下部和恒温槽的上部相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100554504C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200710064591.9 | 申请日期 | 2007.03.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓峰;段垚;崔军朋;曾一平 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域，该锌舟内装有高纯锌源；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门分别与气相沉积反应室的下部和恒温槽的上部相连接。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||