发明名称 |
低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法,此低温多晶硅薄膜晶体管包括一个沟道区,其制造方法的特征在于对沟道区进行等离子体处理工艺,以调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压。由于进行等离子体处理即可调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压,所以可增加工艺弹性。 |
申请公布号 |
CN100555587C |
申请公布日期 |
2009.10.28 |
申请号 |
CN03122318.4 |
申请日期 |
2003.04.25 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
彭佳添;孙铭伟 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,适于形成低温多晶硅薄膜晶体管,上述低温多晶硅薄膜晶体管包括一个沟道区,其特征在于对上述沟道区进行一个等离子体处理工艺,以调整上述低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压,其中该等离子处理工艺是使用含氧等离子体或含氢等离子体的等离子气体,而上述含氧等离子体本身对于上述沟道区直接作用,以使上述激活电压往负的方向调整,且上述含氢等离子体本身对于上述沟道区直接作用,以使上述激活电压往正的方向调整。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |