高速可写半导体存储器装置

摘要

存储单元阵列(1)具有连接到字线(WL)和位线(BL)并被设置为矩阵的多个串联的存储单元。选择晶体管(HVNTr)从所述字线中选择。控制电路根据输入数据控制所述字线和位线的电位，并且控制对所述存储单元执行的数据写操作、数据读出操作和数据擦除操作。所述选择晶体管形成在衬底上。对于读出操作，将第一负电压提供给所述衬底，将第一电压(第一电压≥第一负电压)提供给选择的字线，并且将第二电压提供给未选择的字线。

主权项

1.一种半导体存储器装置，其特征在于包括：存储单元阵列，具有字线和位线，并且其中多个串联的存储单元被设置为矩阵，为所述存储单元中的每一个设定多个阈值电压中的一个；选择晶体管，从所述字线中选择；以及控制电路，包括字线控制电路、位线控制电路和负电压产生电路，根据输入数据控制所述字线和位线以及衬底的电位，所述控制电路控制对所述存储单元执行的数据写入操作、数据读出操作和数据擦除操作，其中所述选择晶体管形成于所述衬底上，并且对于读出操作，将第一负电压提供给所述衬底，将不小于所述第一负电压的第一电压提供给选择的字线，并且将第二电压提供给未选择的字线。