| 发明名称 | 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种可编程电阻随机存取存储器单元，其具有与此可编程电阻元件尺寸相关的电阻。本发明还公开此具有均匀电阻值的可编程电阻元件的制造方法及集成电路，此元件具有比层间接触截面小的截面积。 | ||
| 申请公布号 | CN100555653C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200610172713.1 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩 宏 |
| 主权项 | 1.一种具有非易失性存储单元的集成电路，包括：多个导体行，对该非易失性存储单元按行进行存取；该导体行之上的一个或多个介质层；层间接触点，其具有穿过该一个或多个介质层的均匀的截面，以电连接可编程电阻元件与该导体行；该非易失性存储单元的该可编程电阻元件，具有小于该层间接触点的该截面的截面，该可编程电阻元件包括：邻近于该层间接触点的第一端；第二端；以及多个导体列，对该非易失性存储单元按列进行存取，该导体列邻近于该可编程电阻元件的该第二端。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||