| 发明名称 | 用于读出放大器的半导体存储装置和激活信号产生方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置，包括：包括多个存储单元的单元阵列；读出放大器；包括多条哑位线的自定时单元，其基于其数据被读出的存储单元位置来选择哑位线，并在读数据时产生用于控制读出放大器的激活定时的激活信号。 | ||
| 申请公布号 | CN100555445C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200510008490.0 | 申请日期 | 2005.02.21 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 清水宏 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/14(2006.01)I;G11C11/40(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：包括多个存储单元的单元阵列；读出放大器；以及包括多条哑位线的自定时单元，用于基于其数据被读出的所述存储单元和所述读出放大器之间的距离来选择所述哑位线，并在读数据时产生用于控制所述读出放大器的激活定时的激活信号。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||