一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法

摘要

本发明公开了一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法。包括如下步骤：1)选择两块单端生长型的复合晶体，单端生长型的复合晶体包括掺杂区和不掺杂区；2)设定双端生长型复合晶体的掺杂区的长度为d₂，双端生长型复合晶体一端的不掺杂区的长度为d₁，双端生长型复合晶体另一端的不掺杂区的长度为d₃，通过抛光的方法确定两块单端生长型的复合晶体的长度；3)通过热键合的工艺方法将两块单端生长型复合晶体的掺杂区连接在一起。本发明提高通用性，降低生产成本。只需掌握单端生长型复合晶体的生长工艺，配合成熟的热键合工艺，就可以获得双端生长型复合晶体，降低了双端生长型复合晶体的工艺难度。

主权项

1.一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法，其特征在于包括如下步骤：1)选择两块单端生长型的复合晶体，单端生长型的复合晶体包括掺杂区和不掺杂区，不掺杂区的长度为0.1mm～20mm，晶体切割方向为a-cut或者c-cut，掺杂浓度为0.01～10at.％；2)设定双端生长型复合晶体的掺杂区的长度为d2，双端生长型复合晶体一端的不掺杂区的长度为d1，双端生长型复合晶体另一端的不掺杂区的长度为d3，通过抛光的方法确定两块单端生长型的复合晶体的长度，其中，一块单端生长型复合晶体的不掺杂区的长度为d1’，掺杂区长度为d2’，另一块单端生长型复合晶体的不掺杂区的长度为d3’，掺杂区长度为d2”，且满足以下条件d1’＝d1，d3’＝d3，d2’+d2”＝d23)将两块单端生长型复合晶体的掺杂区一端的端面进行精细抛光，在室温下相互接触，晶体的光轴相互重合，然后进行热处理，热处理过程中使用的温度范围为所键合晶体中熔点较低的那块晶体的熔点的0.1～0.9倍，高温保持的时间在4～80小时，通过热键合的工艺方法将两块单端生长型复合晶体的掺杂区连接在一起。