| 发明名称 | SnO<sub>2</sub>系溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使溅射膜的膜应力的绝对值减小、并且从溅射阴极的周边结构物上的膜剥离少的SnO<sub>2</sub>系烧结体靶。该烧结体靶由烧结体制成，所述烧结体含有高于10ppm且低于1质量％的Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、总质量为20质量％以下的Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和/或Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>，余量为SnO<sub>2</sub>和不可避免的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN101568665A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200880001201.6 | 申请日期 | 2008.11.06 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 森中泰三 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;李平英 |
| 主权项 | 1.SnO2系溅射靶，其由烧结体制成，所述烧结体含有高于10ppm且低于1质量％的Sb2O3、总质量为20质量％以下的Ta2O5和/或Nb2O5，余量为SnO2和不可避免的杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||