发明名称 半导体发光装置以及包括该半导体发光装置的背光源和显示装置
摘要 本发明提供一种半导体发光装置以及包括该半导体发光装置的背光源和显示装置,该半导体发光装置的特征在于在紫外线半导体发光元件和波长变换材料层之间形成有光强度差降低层。本发明提供改善了发光均匀性、降低了亮度不均匀和色度不均匀的LED发光装置。根据本发明的发光装置特别适合用于各种显示装置,该显示装置优选为例如便携电话、便携信息终端、电子辞典、数码相机、计算机、液晶电视和它们的周边设备等特别要求小型化、轻量化、薄型化、省电化、以及高亮度和良好演色性的设备的显示装置。
申请公布号 CN101563791A 申请公布日期 2009.10.21
申请号 CN200780039478.3 申请日期 2007.09.27
申请人 株式会社东芝;东芝高新材料公司 发明人 大屋恭正;酒井亮;竹内肇;石井努;白川康博
分类号 H01L33/00(2006.01)I;F21S2/00(2006.01)I;G02F1/13357(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体发光装置,其特征在于:在紫外线半导体发光元件和波长变换材料层之间形成有光强度差降低层;上述波长变换材料层含有波长变换材料,该波长变换材料包含吸收从上述紫外线半导体发光元件发出的紫外线而发出红、蓝或绿光的三种荧光体中的至少一种。
地址 日本东京都