发明名称 对半导体物理版图进行填充的方法
摘要 本发明公开了一种对半导体物理版图进行填充的方法,采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图,通过划分单元区域进行几何形状分析,计算出最少个数的AREF填充阵列后,以追加写入二进制数据的方式,将计算得出的AREF阵列写入到GDSII数据中,实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。
申请公布号 CN100552683C 申请公布日期 2009.10.21
申请号 CN200610119389.7 申请日期 2006.12.11
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 张兴洲
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 顾继光
主权项 1、一种对半导体物理版图进行填充的方法,其特征是,包括以下步骤:读取数据的步骤,以二进制的方式读入GDSII数据,通过对GDSII二进制数据流的查找,寻找到待填充版图中的每一个结构;划分待填充版图的步骤,将待填充版图划分成一个由多个正方形单元区域组成的矩形阵列,单元区域的大小由版图设计规则决定,单元区域的边长等于填充物的尺寸加上填充物的间距;计算AREF阵列的步骤,采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图,通过划分单元区域进行几何形状分析,求解满足条件g(i,j)≤∑a(s,t,u,v)≤∑g(i,j)的线性方程,并计算出最少个数的AREF阵列;填充的步骤,以追加写入二进制数据的方式,把上面得出的AREF阵列写入到GDSII数据中,这样就实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充;其中,g(i,j)为x轴方向上第i个,y轴方向上第j个单元区域,且1≤i≤m,1≤j≤n,m和n分别为待填充区域的边长;单元区域已经具有物理图形的,g(i,j)赋值为0;单元区域需要填充的,g(i,j)赋值为1;a(s,t,u,v)表示AREF阵列;其中,s为起点的x轴坐标,t为起点的y轴坐标,u为x方向的列数,v为y方向的行数;满足1≤s≤m,1≤t≤n,1≤u≤m,1≤v≤n的AREF阵列都是有效的;在此定义a(s,t,u,v)等于1时是一个被采用的阵列,等于0时是一个没有被采用的阵列。
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