| 发明名称 | 一种低压CMOS电流源 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种低压CMOS电流源，属于模拟集成电路领域，该低压CMOS电流源包括：PTAT电压源和与所述PTAT电压源连接的电流转换与镜像电路，其中所述PTAT电压源，用于产生一个具有正温度系数的基准电压V<sub>REF</sub>；所述电流转换与镜像电路，用于将所述基准电压V<sub>REF</sub>转换为基准电流，并通过电流镜像关系进行基准电流的输出。使该低压CMOS电流源具有良好的电源特性和温度特性，并且CMOS电流源的工艺偏差对该CMOS电流源的输出电流值的影响很小。 | ||
| 申请公布号 | CN101561689A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810238918.4 | 申请日期 | 2008.12.04 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 杨银堂;朱樟明;何芸;李光辉;刘帘曦 |
| 分类号 | G05F3/26(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许 静 |
| 主权项 | 1.一种低压CMOS电流源，其特征在于，包括：与温度成正比PTAT电压源和与所述PTAT电压源连接的电流转换与镜像电路，其中所述PTAT电压源，用于产生一个具有正温度系数的基准电压VREF；所述电流转换与镜像电路，用于将所述基准电压VREF转换为基准电流，并通过电流镜像关系进行基准电流的输出。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白南路2号 | ||