| 发明名称 | InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，包括：A.选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B.在该外延片上旋涂光刻胶；C.光刻、显影，制作发射极的图形；D.蒸发发射极金属；E.在有机溶液中剥离金属；F.用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。本发明利用发射极InGaAs盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀，InGaAs层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制，精度非常高，因此侧向腐蚀的可控性好。同时，本发明避免干法刻蚀造成的损伤，避免因干法刻蚀造成的器件性能退化，并避免价格昂贵的干法刻蚀设备，有效地节约了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101562132A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810104227.5 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 金智;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种InGaAs/InP异质结双极性晶体管HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，该方法包括：A、选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B、在该外延片上旋涂光刻胶；C、光刻、显影，制作发射极的图形；D、蒸发发射极金属；E、在有机溶液中剥离金属；F、用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G、用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||