一种光刻曝光剂量控制装置与方法

摘要

本发明提出一种光刻曝光剂量控制装置与方法。光刻曝光剂量控制装置包括：测量单元；控制单元以及承载单元。测量单元，用于实时测量光强分布，并输出实测信号。控制单元，耦接测量单元，接收实测实测信号，进行运算并输出控制信号。狭缝刀片组，耦接控制单元，接收控制信号，并依据控制信号调整曝光区域大小。本发明的光刻曝光剂量控制装置与方法可以提高曝光区域内硅片表面的光刻剂量精度和重复性，克服由于非扫描方向光强分布不均造成的系统偏差，并且能极大地抑制由于设备老化造成的系统偏差。

主权项

1.一种光刻曝光剂量控制装置，其特征是，包括：测量单元，用于实时测量光强分布，并输出实测信号；控制单元，耦接所述测量单元，接收所述实测信号，进行运算并输出控制信号；以及狭缝刀片组，耦接所述控制单元，接收所述控制信号，并依据所述控制信号调整曝光区域大小。