发明名称 |
金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法,步骤为:(1)制备Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>层硅片(2)制备纯金属钒薄膜:真空度为(5~6)×10<sup>-4</sup>Pa,溅射工作气压为1~2.0Pa,溅射时间为10~20min;(3)退火氧化:退火温度为400~500℃,退火氧化时间为1~2h。本发明提供了一种易于控制、工艺简单的金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法,其产品的电阻温度系数达到-3×10<sup>-2</sup>K<sup>-1</sup>以上,拓展了氧化钒薄膜的制备方法。本发明是目前用来制作热敏传感器、红外探测器和红外成像器件的理想材料。 |
申请公布号 |
CN101560638A |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200910069046.8 |
申请日期 |
2009.05.27 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
胡明;陈涛;梁继然;逯家宁;杨海波 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
曹玉平 |
主权项 |
1.一种金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法,具有如下步骤:(1)制备Si3N4衬底:本体真空:4.5×10-1Pa;工作气体:NH4和用N2稀释的SiH4;工作气压:4.3Pa;NH4和用N2流量分别为:12ml/min和38ml/min;衬底温度:100℃,淀积12分钟;制得Si3N4层硅片;将表面生长了Si3N4层的硅片切割成尺寸为2cm×1cm的Si3N4衬底,以备镀制金属钒薄膜;(2)制备纯金属钒薄膜:将制得的Si3N4衬底置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用质中量纯度为99.9%的金属钒作为靶材,在质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体;以本体真空度为(5~6)×10-4Pa,溅射工作气压为1~2.0Pa,溅射时间为10~20min,Ar气体流量为48ml/min,制得纯金属钒薄膜;(3)退火氧化将制得的金属钒薄膜,置于退火炉内,退火环境为大气环境,退火温度为400~500℃,退火氧化时间为1~2h。 |
地址 |
300072天津市南开区卫津路92号 |