发明名称 离子注入机的终端结构
摘要 一种装置包括导电结构以及绝缘导体,绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括:用于提供离子束的离子源;界定空腔的终端结构,离子源至少部分地安置于空腔中;以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
申请公布号 CN101563749A 申请公布日期 2009.10.21
申请号 CN200780043193.7 申请日期 2007.09.25
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 卡森·D·泰克雷特萨迪克;拉塞尔·J·罗
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01J31/16(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 臧建明
主权项 1.一种离子注入机,其中包括:用于提供离子束的离子源;界定空腔的终端结构,所述离子源至少部分地安置于所述空腔内;以及绝缘导体,其安置于紧邻所述终端结构的外部之处以修改所述终端结构周围的电场,所述绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
地址 美国麻萨诸塞州