发明名称 |
真空处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种真空处理装置,使用应用了皮尔斯式电子枪的真空蒸镀装置在被处理基板上形成蒸镀涂层时,使电子束向收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点诱导,使在上述蒸发点的电子束的照射范围最适化,可以以更快的成膜速度形成优良的蒸镀涂层。作为使皮尔斯式电子枪的电子束向收容在真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点偏向并诱导的装置,将形成相对于上述电子束的入射方向大致垂直且相对于上述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场的磁铁装置设在上述电子束照射面的背侧的真空槽外。将永久磁铁用于磁铁装置实现装置的小型化。其结果是,与将电子束偏向装置置于真空槽内的现有的装置相比,真空槽内变得简单。不会产生机械及磁性的干扰,可以将电子束的照射范围最适化。 |
申请公布号 |
CN101563479A |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200780033836.X |
申请日期 |
2007.09.11 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
饭岛荣一;增田行男;矶佳树;箱守宗人 |
分类号 |
C23C14/30(2006.01)I;H01J11/02(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/30(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
史雁鸣 |
主权项 |
1、一种真空处理装置,其将皮尔斯式电子枪的电子束照射在收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料上,在与所述蒸发源对向的被处理基板上形成蒸镀膜,其特征在于,通过在所述电子束照射面的背侧的真空槽外配设磁铁装置,该磁体装置形成相对于所述电子束的入射方向大致垂直且相对于所述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场,从而使所述电子束向所述蒸发源的蒸发点偏向诱导。 |
地址 |
日本神奈川 |