进行晶片水平的非箝位感性切换试验的结构和方法

摘要

本发明涉及一种用于在由栅驱动器驱动的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件上进行非箝位感性试验的电路。该电路包括用于测量随着从栅驱动器输入到MOSFET器件的脉冲宽度的增加而增加的非箝位感性试验(UIS)电流的电流传感电路，其中所述电流传感电路被提供来在达到预定的UIS电流时截止所述栅驱动器。该试验电路进一步包括连接到MOSFET器件的漏极，用于测量被用来在所述UIS试验期间探测MOSFET失效的漏电压变化的MOSFET失效探测电路。该试验电路进一步包括用于切换施加到所述MOSFET器件的电源的开/关的第一开关和在MOSFET的源漏极之间连接的第二开关。另外，该试验电路进一步包括用于接收来自MOSFET失效探测电路的MOSFET失效信号以及在UIS试验下探测到UIS失效时控制第一和第二开关切断施加到MOSFET器件的电源以防止探针损坏的定时和先合后开(MBB)电路。

主权项

1.一种用于在由栅驱动器驱动的金属氧化物半导体场效应晶体管器件上进行非箝位感性试验的电路，其特征在于，该电路包括：用于测量随着从所述栅驱动器输入到所述MOSFET器件的脉冲宽度的增加而增加的非箝位感性电流的电流传感电路，其中所述电流传感电路被提供来在达到预定的非箝位感性电流时截止所述栅驱动器；用于切换施加到所述MOSFET器件的电源的开/关的第一开关和在所述MOSFET的源漏极之间连接的第二开关，其中在所述非箝位感性试验下探测到MOSFET失效时所述第一开关受控切断以及所述第二开关受控接通以防止探针损坏。