一种互补式交叉耦合能量恢复电路结构

摘要

本发明公开了一种互补式交叉耦合能量恢复电路结构。该结构在两相不交叠功率时钟(周期性变化的电源)的控制下以极低的功耗实现逻辑运算。该电路结构的基本电路单元包括：第一，一对用于对差分输出节点进行充电的二极管(D1、D2)；第二，一对控制二极管预充电的PMOS管(MP1、MP2)；第三，一对进行逻辑运算的NMOS管(MN1、MN2)；第四，一对交叉耦合输出的NMOS管(MN3、MN4)。

主权项

1、一种互补式交叉耦合能量恢复电路结构，其特征在于包括：一对预充电控制的第一和第二PMOS管(MP1、MP2)，其栅极分别接在差分互补的输入端(in、inb)上，其源极和衬底都接在脉冲电源PC的输入端，其漏极分别接在一对二极管(D1、D2)的正极上；一对二极管(D1、D2)，其正极分别接在第一和第二PMOS管(PM1、PM2)的漏极上，负极分别接在两个差分输出端(out、outb)上；一对进行逻辑运算的第一和第二NMOS管(MN1、MN2)，其栅极分别接在差分互补的输入端(in、inb)上，漏极接在脉冲电源PC上，源极分别接在A、B结点上；一对交叉耦合输出的第三和第四NMOS管(MN3、MN4)，其漏极分别接在A、B结点上，源极分别接在两个输出端in、inb上，栅极交叉耦合接在两个输出端上；其中，A结点为第一NMOS管(MN1)的源极与第三NMOS管(MN3)漏极连结点，B结点为第二NMOS管(MN2)的源极与第四NMOS管(MN4)漏极的连结点，以上所述的所有的NMOS管的衬底均接地。