| 发明名称 | 具有球形凹陷栅极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻部份衬底以形成凹陷；将聚合物层填入所述凹陷的下部；在所述凹陷下部上方的凹陷上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述凹陷下部以形成球形凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN100550296C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710005661.3 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵俊熙 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：蚀刻部分衬底以形成具有第一宽度的第一凹陷；形成填充所述第一凹陷的下部的聚合物层；在所述第一凹陷的下部上方的第一凹陷侧壁上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述第一凹陷的下部以形成具有大于所述第一宽度的第二宽度的球形第二凹陷。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||