互补金属氧化物半导体器件

摘要

提供了一种以低成本和短周期制造的互补MOS半导体器件，该互补MOS半导体器件能够在低电压下工作、并具有低功耗和高速驱动能力，能够实现高速工作的功率控制器件或模拟半导体器件。CMOS的栅电极由单一极性的P型多晶硅或具有P型多晶化物结构形成。PMOS是表面沟道型，因此，能够具有较短的沟道并具有较低的阈值电压。同样，由于采用较小扩散系数的砷作为NMOS中的阈值电压控制的杂质，所以埋置沟道型的NMOS具有非常浅的埋置沟道，因此，能够具有较短的沟道并具有较低的阈值电压。此外，在分压电路或CR电路中采用的电阻器由不同于栅电极的多晶硅组成，因此，就提供了具有高精度的分压电路。因此，实现了高速工作的功率控制半导体器件或模拟半导体器件。

主权项

1.一种互补MOS半导体器件，包括：SOI衬底；包括在SOI衬底中形成的N型MOS晶体管和在SOI衬底中形成的P型MOS晶体管的互补晶体管对，所述N型MOS晶体管和P型MOS晶体管的每个具有P型栅电极；和在该SOI衬底上邻近所述互补晶体管对提供的一个或多个电阻器，所述电阻器由不同于用来形成N型MOS晶体管和P型MOS晶体管的栅电极的材料形成。