一种保护静电放电的硅控整流器

摘要

本发明提供了一种保护静电放电的SCR，包括衬底；至少一个N阱和/或至少一个P阱，设于衬底的上方；分别含有至少一个触点的第一N+区域和第一P+区域，形成于N阱或N型衬底，用作SCR的阳极；分别含有至少一个触点的第二N+区域和第二P+区域，形成于P阱或P型衬底，用作SCR的阴极；第一P+区域位于SCR的基本中部位置，第一N+区域、第二N+区域和第二P+区域的形状为由内向外依次顺序排列的闭合环状或中空的多边形，其中，第一P+区域位于第一N+区域的中空部，第一N+区域位于第二N+区域的中空部，第二N+区域位于第二P+区域的中空部。本发明可以更有效的节省面积，更多的提供ESD电流路径，使得触发电压更均匀，提高ESD防护能力。

主权项

1.一种保护静电放电的硅控整流器，包括衬底；至少一个N阱和至少一个P阱，设于上述衬底的上方；分别含有至少一个触点的第一N+区域和第一P+区域，形成于上述N阱，用作上述硅控整流器的阳极；分别含有至少一个触点的第二N+区域和第二P+区域，形成于上述P阱，用作上述硅控整流器的阴极；其特征是，上述第一P+区域位于上述硅控整流器的基本中部位置，上述第一N+区域、上述第二N+区域和上述第二P+区域的形状为由内向外依次顺序排列的闭合环状或中空的多边形，其中，上述第一P+区域位于上述第一N+区域的中空部，第一N+区域位于上述第二N+区域的中空部，上述第二N+区域位于上述第二P+区域的中空部。