| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，制造方法相对简便并可以最大化产率。该半导体器件可以包含下述的至少其中之一：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其具有晶体管及引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元；其中该电容单元包含底部电极、绝缘层以及顶部电极；其中该第一衬底包含连接至该电容单元的底部电极和顶部电极的穿透电极，其中所述穿透电极穿透半导体衬底；其中该电容单元的底部电极和顶部电极连接至不同的穿透电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100550376C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710142788.X | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 韩载元 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，该装置包含：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其包含电路单元，其中该电路单元包含至少一个晶体管及至少一条引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元；其中该电容单元包含：底部电极；绝缘层；以及顶部电极；其中该第一衬底包含连接至该电容单元的底部电极和顶部电极的穿透电极，其中所述穿透电极穿透半导体衬底；其中该电容单元的底部电极和顶部电极连接至不同的穿透电极，其中该第一衬底叠置于该第二衬底之上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||