发明名称 Method of manufacturing a MOS device having a base region with high breakdown resistance
摘要
申请公布号 EP0776048(B1) 申请公布日期 2009.10.14
申请号 EP19960118626 申请日期 1996.11.20
申请人 FUJI ELECTRIC CO., LTD. 发明人 KOBAYASHI, TAKASHI;NISHIMURA, TAKEYOSHI;FUJIHIRA, TATSUHIKO
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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