| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，用氟化碳(CF<sub>x</sub>、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CH<sub>y</sub>、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100550421C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200680002450.8 | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具备：形成在基板上的元件形成领域；形成在元件形成领域周围的元件分离领域；经由栅绝缘膜形成在元件形成领域上的栅电极；形成为覆盖元件形成领域及元件分离领域的层间绝缘膜；形成覆盖栅绝缘膜及栅电极的保护绝缘膜，其特征在于，所述元件分离领域由碳氢化合物形成，其中，所述碳氢化合物为CHy，0.8＜y＜1.2，所述层间绝缘膜由氟化碳形成，其中，所述氟化碳为CFx，0.3＜x＜0.6，所述保护绝缘膜由碳氢化合物形成，其中，所述碳氢化合物为CHy。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||